casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4S009DRYR
codice articolo del costruttore | TPD4S009DRYR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4S009DRYR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD4S009DRYR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 4 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | 25W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | Ethernet, HDMI |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SON (1.45x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4S009DRYR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4S009DRYR-FT |
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel