casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / DF2B20M4SL,L3F
codice articolo del costruttore | DF2B20M4SL,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-DF2B20M4SL,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF2B20M4SL,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 18.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 19V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 30V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 500mA (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 15W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | SL2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B20M4SL,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF2B20M4SL,L3F-FT |
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6F6.8MTU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
M1AGLE3000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2L
Intel
5SGXMB6R3F40C4N
Intel
10AX048E3F29E2SG
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H3F34E2SG
Intel