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codice articolo del costruttore | DF10G6M4N,LF |
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Numero di parte futuro | FT-DF10G6M4N,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10G6M4N,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 25V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 30W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-DFN (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10G6M4N,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF10G6M4N,LF-FT |
SESD0402S-005-054
Littelfuse Inc.
SESD0201C-006-058
Littelfuse Inc.
SESD0201C-120-058
Littelfuse Inc.
LXES1TBBB2-013
Murata Electronics North America
LXES1TBCC2-004
Murata Electronics North America
DF3A6.8LFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation