casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / DF10G6M4N,LF
codice articolo del costruttore | DF10G6M4N,LF |
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Numero di parte futuro | FT-DF10G6M4N,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10G6M4N,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 25V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 30W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-DFN (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10G6M4N,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF10G6M4N,LF-FT |
SESD0402S-005-054
Littelfuse Inc.
SESD0201C-006-058
Littelfuse Inc.
SESD0201C-120-058
Littelfuse Inc.
LXES1TBBB2-013
Murata Electronics North America
LXES1TBCC2-004
Murata Electronics North America
DF3A6.8LFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel