casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4S009DGSR
codice articolo del costruttore | TPD4S009DGSR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4S009DGSR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD4S009DGSR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 4 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | 25W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | Ethernet, HDMI |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-VSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4S009DGSR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4S009DGSR-FT |
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5G7M2N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D18FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel