casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / DF10G5M4N,LF
codice articolo del costruttore | DF10G5M4N,LF |
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Numero di parte futuro | FT-DF10G5M4N,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10G5M4N,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 24V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 30W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-DFN (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10G5M4N,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF10G5M4N,LF-FT |
LCE9.0A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SESD0402S-005-054
Littelfuse Inc.
SESD0201C-006-058
Littelfuse Inc.
SESD0201C-120-058
Littelfuse Inc.
LXES1TBBB2-013
Murata Electronics North America
LXES1TBCC2-004
Murata Electronics North America
DF3A6.8LFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C8L
Intel
EP4SGX530KH40C3
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel