casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD2E2U06QDBZRQ1
codice articolo del costruttore | TPD2E2U06QDBZRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-TPD2E2U06QDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD2E2U06QDBZRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 2 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 12.4V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 5.5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 75W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | Automotive, Ethernet |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E2U06QDBZRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD2E2U06QDBZRQ1-FT |
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5G7M2N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D18FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel