casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPCF8107,LF
codice articolo del costruttore | TPCF8107,LF |
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Numero di parte futuro | FT-TPCF8107,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
TPCF8107,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCF8107,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPCF8107,LF-FT |
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