casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TP0202K-T1-E3
codice articolo del costruttore | TP0202K-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-TP0202K-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
TP0202K-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 385mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 31pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP0202K-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TP0202K-T1-E3-FT |
FDN336P-NL
ON Semiconductor
FDN338P_G
ON Semiconductor
FDN339AN_G
ON Semiconductor
FDN361AN
ON Semiconductor
FDN371N
ON Semiconductor
FDN372S
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FDN5618P_G
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FDV301N-NB9V005
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FDV302P-NB8V001
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A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
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M7A3P1000-1FGG256I
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LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
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EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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10AX115N3F40I3SGES
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