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ON Semiconductor FDN339AN_G

Numero parte MFG
FDN339AN_G
quantità disponibile
71580 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FDN339AN_G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDN339AN_G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN339AN_G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDN339AN_G-FT

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