casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK9P65W,RQ
codice articolo del costruttore | TK9P65W,RQ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TK9P65W,RQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK9P65W,RQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK9P65W,RQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK9P65W,RQ-FT |
TK25N60X5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K211FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel