casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK65A10N1,S4X
codice articolo del costruttore | TK65A10N1,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK65A10N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK65A10N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK65A10N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK65A10N1,S4X-FT |
IRFIZ14GPBF
Vishay Siliconix
IRFI530GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9630GPBF
Vishay Siliconix
IRLI640GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9520GPBF
Vishay Siliconix
RCX120N25
Rohm Semiconductor
IRFI4510GPBF
Infineon Technologies
TK8R2A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI630GPBF
Vishay Siliconix
IRFIBE20GPBF
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel