casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK72A08N1,S4X
codice articolo del costruttore | TK72A08N1,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK72A08N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK72A08N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK72A08N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK72A08N1,S4X-FT |
VS-FC270SA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC420SA15
Vishay Semiconductor Diodes Division
SI5856DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5855DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5853DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5447DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5404BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5403DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5401DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1012X-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel