casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK100A10N1,S4X
codice articolo del costruttore | TK100A10N1,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK100A10N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK100A10N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK100A10N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK100A10N1,S4X-FT |
R6008FNX
Rohm Semiconductor
IRFIBC40GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9540GPBF
Vishay Siliconix
R6012FNX
Rohm Semiconductor
IRLIZ44NPBF
Infineon Technologies
IRFIZ14GPBF
Vishay Siliconix
IRFI530GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9630GPBF
Vishay Siliconix
IRLI640GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9520GPBF
Vishay Siliconix
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel