casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TC58CYG0S3HQAIE
codice articolo del costruttore | TC58CYG0S3HQAIE |
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Numero di parte futuro | FT-TC58CYG0S3HQAIE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58CYG0S3HQAIE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 155µs |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58CYG0S3HQAIE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TC58CYG0S3HQAIE-FT |
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2I
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2I
Winbond Electronics
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel