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Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Numero parte MFG
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
quantità disponibile
53790 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.157104
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Data di spedizione
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D specificazioni

codice articolo del costruttore EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Numero di parte futuro FT-EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 134-VFBGA (10x11.5)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EDB5432BEBH-1DAAT-F-D-FT

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