casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W97AH6KBVX2I
codice articolo del costruttore | W97AH6KBVX2I |
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Numero di parte futuro | FT-W97AH6KBVX2I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W97AH6KBVX2I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W97AH6KBVX2I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W97AH6KBVX2I-FT |
W25Q128BVBJP
Winbond Electronics
W25Q128BVBJP TR
Winbond Electronics
W25Q128FVBIG
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W25Q128FVBIP
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W25Q256FVBIF
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W25Q256FVBIG TR
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W25Q256FVBIP
Winbond Electronics
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Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel