codice articolo del costruttore | TB100ML |
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Numero di parte futuro | FT-TB100ML |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TB100ML Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 150mA, 750mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TB100ML Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TB100ML-FT |
JANTXV2N5005
Microsemi Corporation
JANTXV2N5012
Microsemi Corporation
JANTXV2N5012S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5013
Microsemi Corporation
JANTXV2N5013S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5014
Microsemi Corporation
JANTXV2N5014S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5015
Microsemi Corporation
JANTXV2N5015S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5038
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel