casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5014
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5014 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
JANTXV2N5014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5014-FT |
JANTX2N3749
Microsemi Corporation
JANTX2N3771
Microsemi Corporation
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JANTX2N5002
Microsemi Corporation
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
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AGL600V2-FGG256
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AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel