casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5014
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5014 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
JANTXV2N5014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5014-FT |
JANTX2N3749
Microsemi Corporation
JANTX2N3771
Microsemi Corporation
JANTX2N3960UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3996
Microsemi Corporation
JANTX2N3997
Microsemi Corporation
JANTX2N3999
Microsemi Corporation
JANTX2N4261UB
Microsemi Corporation
JANTX2N4399
Microsemi Corporation
JANTX2N4931
Microsemi Corporation
JANTX2N5002
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel