casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW5R10JE
codice articolo del costruttore | TA810PW5R10JE |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW5R10JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW5R10JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW5R10JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW5R10JE-FT |
TEH100M25R0FE
Ohmite
TEH100M50R0FE
Ohmite
TEH100M2R00FE
Ohmite
TEH100M7R50FE
Ohmite
TEH100M3R00FE
Ohmite
TEH100M20R0FE
Ohmite
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
TAH20P5K10JE
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel