casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TEH100M50R0FE
codice articolo del costruttore | TEH100M50R0FE |
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Numero di parte futuro | FT-TEH100M50R0FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M50R0FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | 50ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.825" (20.96mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M50R0FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TEH100M50R0FE-FT |
TFH85M1K00JE
Ohmite
TEH70P100RJE
Ohmite
TEH70P10K0JE
Ohmite
TEH70P10R0JE
Ohmite
TEH70P150RJE
Ohmite
TEH70P15R0JE
Ohmite
TEH70P1K00JE
Ohmite
TEH70P1K50JE
Ohmite
TEH70P20R0JE
Ohmite
TEH70P24R0JE
Ohmite
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation