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codice articolo del costruttore | TEH100M2R00FE |
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Numero di parte futuro | FT-TEH100M2R00FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M2R00FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | 250ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.825" (20.96mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M2R00FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TEH100M2R00FE-FT |
TEH70P100RJE
Ohmite
TEH70P10K0JE
Ohmite
TEH70P10R0JE
Ohmite
TEH70P150RJE
Ohmite
TEH70P15R0JE
Ohmite
TEH70P1K00JE
Ohmite
TEH70P1K50JE
Ohmite
TEH70P20R0JE
Ohmite
TEH70P24R0JE
Ohmite
TEH70P270RJE
Ohmite
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
AFS1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP2SGX60DF780C5
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP1C4F400C7N
Intel