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codice articolo del costruttore | TA810PW200RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW200RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW200RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW200RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW200RJE-FT |
TEH100M10R0FE
Ohmite
TEH100M25R0FE
Ohmite
TEH100M50R0FE
Ohmite
TEH100M2R00FE
Ohmite
TEH100M7R50FE
Ohmite
TEH100M3R00FE
Ohmite
TEH100M20R0FE
Ohmite
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
XCKU035-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23I8LN
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
LFE2-20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C5N
Intel
EP20K100QC240-3V
Intel