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codice articolo del costruttore | TA810PW100RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW100RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW100RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW100RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW100RJE-FT |
TEH100M50R0FE
Ohmite
TEH100M2R00FE
Ohmite
TEH100M7R50FE
Ohmite
TEH100M3R00FE
Ohmite
TEH100M20R0FE
Ohmite
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
TAH20P5K10JE
Ohmite
TAH20PR050JE
Ohmite
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel