casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUM52N20-39P-E3
codice articolo del costruttore | SUM52N20-39P-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUM52N20-39P-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM52N20-39P-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 15V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.12W (Ta), 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM52N20-39P-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUM52N20-39P-E3-FT |
SI7886ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7886ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7898DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7898DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR168DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR172DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR330DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel