casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7886ADP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7886ADP-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI7886ADP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7886ADP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7886ADP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7886ADP-T1-E3-FT |
SI7196DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7344DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7356ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7356ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7358ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7358ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7366DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7366DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7368DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7368DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel