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codice articolo del costruttore | SIR112DP-T1-RE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR112DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIR112DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.6A (Ta), 133A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.96 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR112DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR112DP-T1-RE3-FT |
SI7366DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7366DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7368DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7368DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7370DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7374DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7380ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7380ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7382DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7382DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel