casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD50P06-15L-T4-E3
codice articolo del costruttore | SUD50P06-15L-T4-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD50P06-15L-T4-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD50P06-15L-T4-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4950pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50P06-15L-T4-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD50P06-15L-T4-E3-FT |
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ461EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ465EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ868EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel