casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJ465EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ465EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ465EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ465EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ465EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ465EP-T1_GE3-FT |
SUM85N03-06P-E3
Vishay Siliconix
SUM85N15-19-E3
Vishay Siliconix
SUM90142E-GE3
Vishay Siliconix
SUM90220E-GE3
Vishay Siliconix
SUM90N04-3M3P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N06-4M4P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N06-5M5P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-4M8P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-7M6P-E3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel