casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJ461EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ461EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ461EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ461EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4710pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ461EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ461EP-T1_GE3-FT |
SUM75N06-09L-E3
Vishay Siliconix
SUM75N15-18P-E3
Vishay Siliconix
SUM85N03-06P-E3
Vishay Siliconix
SUM85N15-19-E3
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SUM90142E-GE3
Vishay Siliconix
SUM90220E-GE3
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SUM90N04-3M3P-E3
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SUM90N06-4M4P-E3
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SUM90N06-5M5P-E3
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SUM90N08-4M8P-E3
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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