casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD23N06-31-GE3
codice articolo del costruttore | SUD23N06-31-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD23N06-31-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD23N06-31-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD23N06-31-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD23N06-31-GE3-FT |
SI8416DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8441DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8469DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8487DB-T1-E1
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel