casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STW63N65DM2
codice articolo del costruttore | STW63N65DM2 |
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Numero di parte futuro | FT-STW63N65DM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDmesh™ II Plus |
STW63N65DM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 100V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW63N65DM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STW63N65DM2-FT |
STI400N4F6
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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