casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STW26N60M2
codice articolo del costruttore | STW26N60M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STW26N60M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2 |
STW26N60M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 169W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW26N60M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STW26N60M2-FT |
STI55NF03L
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STI32N65M5
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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