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STMicroelectronics STU75N3LLH6-S

Name: STU75N3LLH6-S
Brand: STMicroelectronics
SKU: STU75N3LLH6-S
Availability: InStock
Rating: 4.9 (32 reviews)

Numero parte MFG: STU75N3LLH6-S

quantità disponibile: 17640 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STU75N3LLH6-S.pdf

STU75N3LLH6-S specificazioni

codice articolo del costruttore	STU75N3LLH6-S
Numero di parte futuro	FT-STU75N3LLH6-S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STU75N3LLH6-S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STU75N3LLH6-S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STU75N3LLH6-S-FT

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