casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB95N3LLH6
codice articolo del costruttore | STB95N3LLH6 |
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Numero di parte futuro | FT-STB95N3LLH6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STB95N3LLH6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB95N3LLH6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB95N3LLH6-FT |
STH210N75F6-2
STMicroelectronics
STH360N4F6-2
STMicroelectronics
STH400N4F6-2
STMicroelectronics
STB37N60DM2AG
STMicroelectronics
STB13N60M2
STMicroelectronics
STB22NM60N
STMicroelectronics
STB130N6F7
STMicroelectronics
STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
STB7N52K3
STMicroelectronics
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel