casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB6N62K3
codice articolo del costruttore | STB6N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STB6N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STB6N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB6N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB6N62K3-FT |
STH240N75F3-2
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STH160N4LF6-2
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STH210N75F6-2
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STH360N4F6-2
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STH400N4F6-2
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STB37N60DM2AG
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STB13N60M2
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STB22NM60N
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STB130N6F7
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