casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU70N2LH5
codice articolo del costruttore | STU70N2LH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STU70N2LH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STU70N2LH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±22V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU70N2LH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STU70N2LH5-FT |
STB2N62K3
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