casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STT3P2UH7
codice articolo del costruttore | STT3P2UH7 |
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Numero di parte futuro | FT-STT3P2UH7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STT3P2UH7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STT3P2UH7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STT3P2UH7-FT |
SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG312P
ON Semiconductor
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1467DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1499DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1403BDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1499DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG332PZ
ON Semiconductor
SI1404BDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1404BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel