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codice articolo del costruttore | SI1403BDL-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1403BDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1403BDL-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1403BDL-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1403BDL-T1-GE3-FT |
SPA16N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
TK12A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W5,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel