casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1404BDH-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1404BDH-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1404BDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1404BDH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1404BDH-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1404BDH-T1-GE3-FT |
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A90E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation