casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STS5P3LLH6
codice articolo del costruttore | STS5P3LLH6 |
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Numero di parte futuro | FT-STS5P3LLH6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
STS5P3LLH6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 639pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS5P3LLH6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STS5P3LLH6-FT |
STB70NFS03LT4
STMicroelectronics
STB70NH03LT4
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EX128-TQ100
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A54SX32A-1CQ256
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EP1SGX10CF672C7N
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