casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB75N20
codice articolo del costruttore | STB75N20 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STB75N20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STB75N20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3260pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB75N20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB75N20-FT |
STB26N60M2
STMicroelectronics
STB28NM50N
STMicroelectronics
STB30N65M5
STMicroelectronics
STB32N65M5
STMicroelectronics
STB35N65DM2
STMicroelectronics
STB35N65M5
STMicroelectronics
STB42N65M5
STMicroelectronics
STB6N60M2
STMicroelectronics
STB7ANM60N
STMicroelectronics
STB8NM60T4
STMicroelectronics