casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB8NM60D
codice articolo del costruttore | STB8NM60D |
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Numero di parte futuro | FT-STB8NM60D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ |
STB8NM60D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB8NM60D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB8NM60D-FT |
STB6N60M2
STMicroelectronics
STB7ANM60N
STMicroelectronics
STB8NM60T4
STMicroelectronics
STB100NF04T4
STMicroelectronics
STB11NK50ZT4
STMicroelectronics
STB120NF10T4
STMicroelectronics
STB13NK60ZT4
STMicroelectronics
STB140NF75T4
STMicroelectronics
STB141NF55
STMicroelectronics
STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel