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STMicroelectronics STS4DNFS30L

Numero parte MFG
STS4DNFS30L
quantità disponibile
80740 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
STripFET™ MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STS4DNFS30L specificazioni

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Numero di parte futuro FT-STS4DNFS30L
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie STripFET™
STS4DNFS30L Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS4DNFS30L Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STS4DNFS30L-FT

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