casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL9P2UH7
codice articolo del costruttore | STL9P2UH7 |
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Numero di parte futuro | FT-STL9P2UH7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STL9P2UH7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL9P2UH7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL9P2UH7-FT |
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