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STMicroelectronics STL4N10F7

Name: STL4N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL4N10F7
Price: 0.770504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (742 reviews)

Numero parte MFG: STL4N10F7

quantità disponibile: 32750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.770504

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STL4N10F7.pdf

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STL4N10F7 specificazioni

codice articolo del costruttore	STL4N10F7
Numero di parte futuro	FT-STL4N10F7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
STL4N10F7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta), 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.9W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL4N10F7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STL4N10F7-FT

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