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STMicroelectronics STS3P6F6

Numero parte MFG
STS3P6F6
quantità disponibile
67740 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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STS3P6F6 specificazioni

codice articolo del costruttore STS3P6F6
Numero di parte futuro FT-STS3P6F6
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DeepGATE™, STripFET™ VI
STS3P6F6 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS3P6F6 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STS3P6F6-FT

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