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STMicroelectronics STP10NM65N

Name: STP10NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP10NM65N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (787 reviews)

Numero parte MFG: STP10NM65N

quantità disponibile: 51500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: MDmesh™ II MOSFET N-CH 650V 9A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STP10NM65N.pdf

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STP10NM65N specificazioni

codice articolo del costruttore	STP10NM65N
Numero di parte futuro	FT-STP10NM65N
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ II
STP10NM65N Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP10NM65N Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STP10NM65N-FT

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