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STMicroelectronics STP10NM60ND

Name: STP10NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP10NM60ND
Price: 2.648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (362 reviews)

Numero parte MFG: STP10NM60ND

quantità disponibile: 55240 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.648

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STP10NM60ND.pdf

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STP10NM60ND specificazioni

codice articolo del costruttore	STP10NM60ND
Numero di parte futuro	FT-STP10NM60ND
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FDmesh™ II
STP10NM60ND Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	577pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP10NM60ND Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STP10NM60ND-FT

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