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STMicroelectronics STP120N4F6

Name: STP120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP120N4F6
Price: 0.94424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (623 reviews)

Numero parte MFG: STP120N4F6

quantità disponibile: 47910 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.94424

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STP120N4F6.pdf

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STP120N4F6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STP120N4F6
Numero di parte futuro	FT-STP120N4F6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STP120N4F6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP120N4F6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STP120N4F6-FT

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