casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL60N10F7
codice articolo del costruttore | STL60N10F7 |
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Numero di parte futuro | FT-STL60N10F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STL60N10F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL60N10F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL60N10F7-FT |
STD4NK50ZT4
STMicroelectronics
STD4NK60ZT4
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STD4NS25T4
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STD50N03L
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STD5N52K3
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XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel